1.電壓和電流最大額定值

       與機(jī)械繼電器（逾越最大額定值可能不會(huì)導(dǎo)致器件立即擊穿）不同，當(dāng)額定極限達(dá)到時(shí)，光繼電器容易發(fā)生擊穿。設(shè)計(jì)時(shí)請(qǐng)留意保持在規(guī)定的最大額定值范圍內(nèi)。

2.壽命（可靠性）

       由于觸點(diǎn)磨損，機(jī)械繼電器規(guī)定了循環(huán)壽命。相反，光繼電器由于通過相應(yīng)的MOSFET工作來導(dǎo)通和關(guān)斷，因此與機(jī)械繼電器不同，不存在機(jī)械觸點(diǎn)，從而不需要維護(hù)。當(dāng)在指定的額定值內(nèi)使用時(shí)，光繼電器可提供短命命。

3.導(dǎo)通電阻

       雖然機(jī)械繼電器幾乎沒有任何導(dǎo)通電阻，但是光繼電器具有一系列RON從高到低的產(chǎn)品。RON比機(jī)械繼電器低的大電容光繼電器也存在

4.輸出斷態(tài)

       ①斷態(tài)輸出端子電壓

      當(dāng)連接斷開時(shí)，機(jī)械繼電器完全隔離。另一方面，由于PN結(jié)的存在光繼電器并不是完全隔離。與機(jī)械繼電器相比，其斷態(tài)端子電壓較弱，因此建議在電路中添加維護(hù)二極管。

       ②斷態(tài)電流（泄漏）

       機(jī)械繼電器幾乎沒有漏電流。光繼電器中，輸出側(cè)施加電壓時(shí)有漏電流流動(dòng)。

5.開關(guān)時(shí)間

       與機(jī)械繼電器不同，其對(duì)于信號(hào)繼電器需要幾毫秒。光繼電器在工作期間也沒有回跳。

6.輸入功耗

       即使是低功耗信號(hào)繼電器，機(jī)械繼電器功耗也通常從100mW開始。對(duì)于光繼電器，大約3mA 觸發(fā)電流就能使MOSFET工作。通常，IF設(shè)置在5mA 左右（低于10mW就已足夠。此外還有IFT＝0.2mA 最大值）產(chǎn)品可進(jìn)一步降低功耗。

7.驅(qū)動(dòng)電流

       機(jī)械繼電器符合直流和交流規(guī)格。大多數(shù)光繼電器用于直流驅(qū)動(dòng)。

8.觸點(diǎn)形式

       機(jī)械繼電器有一系列觸點(diǎn)形式可供選擇。光電繼電器通常是形式a，有些產(chǎn)品支持形式b。

9.尺寸

       小型機(jī)械信號(hào)繼電器的占用面積為60mm2 ，光繼電器的面積為2.9mm2，可以實(shí)現(xiàn)相當(dāng)大的空間優(yōu)勢(shì)，從而使得高密度應(yīng)用成為可能。